专利名称：神经营养因子产生促进装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在脑疾病等各种疾病的治疗 中有用的促进神经营养因子或者神经营 养因子样物质的产生的神经营养因子产生促进装置。
背景技术：
阿尔茨海默病性痴呆等神经变性疾病、抑郁症、脑血管疾病等脑疾病是以中枢 神经系统细胞脆弱化、损伤为原因产生的。为了治疗这些脑疾病，正在研究向脑中移植 新的细胞或者向脑中注入神经营养因子，保护正在损坏的神经细胞这样的脑再生疗法。 这样的再生疗法虽大多尚处在研究阶段，但其中一部分已经正在进行临床应用，作为对 各种脑疾病的新的治疗方法正在引人关注。例如，在非专利文献1、2中，公开了为了向 脑内导入神经营养因子，向脑内移植产生神经营养因子的细胞，补充神经营养因子量不 足的治疗方法。非专利文献1: “脳O再生医療”，[online]，日本脑神经外科学会，[2006年10 月 16 日检索]，互联网 <http://square.umin.ac.jp/neuroinf/patient/701.html>非专利文献2: “神経保護、神経修復薬 展望”，[online]，[2006年10月16 日检索]，互联网 <http://www.h2.dion.ne.jp/ park/indexl/il014hogo.html>

发明内容
然而，上述具有修复中枢神经系统细胞的功能的神经营养因子由于不能通过血 脑屏障(即，处在血管与脑之间防止有害物质进入到脑内的屏障)，因此不能通过静脉注 射等向脑内投入神经营养因子。因此，在现有的脑再生疗法中，只有如上述那样向脑内 移植产生神经营养因子的细胞，或者直接向脑内注入神经营养因子的方法。但是，对脑进行细胞移植或者注入神经营养因子这样的方法是伴随中枢神经系 统细胞的损伤或者对脑的感染等很高风险的行为，因此是仅能够用特定的高级医疗设施 来实现的治疗方法，所以尽管患者数量在增加，但并不是患者在任何地方都能容易地接 受治疗。因此，本发明就是鉴于上述问题而完成的，作为本发明的目的，是提供一种新 的改良的神经营养因子产生促进装置，为了治疗或者预防脑疾病等各种疾病，其能够不 向患部实施细胞移植或者注射，而是通过与治疗场所无关的简易方法，促进患部中的神 经营养因子或者神经营养因子样物质的产生。虽然关于磁疗对脑疾病的治疗效果的机理尚未完全明确，但本申请的发明人经 过不懈努力，得到了以下见解，即，通过以适当的磁场强度(例如小于或等于0.01特斯 拉)，向被治疗体患部的特定细胞(能够产生神经营养因子或者神经营养因子样物质的细胞，例如神经胶质细胞)作用预定频率的高频交变磁场，能够使该细胞内的钙离子(Ca2+) 浓度上升，诱发神经营养因子和/或神经营养因子样物质(以下，有时将“神经营养因子 和/或神经营养因子样物质”称为“神经营养因子群”)的胞吐作用(exocytisis:开口释 放)反应，并增加该细胞内的转录因子(mRNA: Messengerribonucleic acid)，从而能够 促进神经营养因子群的合成以及释放，由此，能够促进神经营养因子群的产生。 因此，本申请的发明人着眼于这样的细胞中神经营养因子群的产生促进作用而 进行不懈努力，对作用于细胞的高频交变磁场的频率进行了实验以及研究。结果发现了 能够大幅度提高神经营养因子群的产生促进这样的磁疗效果的适宜的高频交变磁场的频 率，完成了如下的本申请发明。为了解决上述课题，根据本发明的某个观点，提供一种神经营养因子产生促进 装置，该神经营养因子产生促进装置通过对细胞施加磁刺激，促进神经营养因子或者神 经营养因子样物质的产生。该神经营养因子产生促进装置的特征在于，具备高频电磁波 发生单元，为了使选自20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的范围的产生促 进用高频的高频交变磁场在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下对细胞发生作用，该高 频电磁波发生单元发生产生促进用高频的高频电磁波，通过由产生促进用高频的高频交 变磁场产生的磁刺激，使细胞内的钙离子浓度上升，诱发神经营养因子或者神经营养因 子样物质的胞吐作用，并通过磁刺激，增加细胞内的神经营养因子或者神经营养因子物 质的转录因子(mRNA)，从而促进神经营养因子或者神经营养因子样物质的合成以及向 细胞外的释放。根据这样的结构，通过发生适于磁疗的产生促进用高频的高频电磁波，就能够 发射该产生促进用高频的高频交变磁场，作用于被治疗体患部等的细胞。通过这样的磁 刺激，促进被治疗体患部的细胞内的神经营养因子或者神经营养因子样物质的产生，该 神经营养因子或者神经营养因子样物质能够使由于疾病而脆弱化、损伤或者数量正在减 少的细胞再生，适宜地磁疗该疾病。通过这样的磁疗，不用向患部实施细胞移植或者注 射，不用选择治疗场所，就能够简单地进行疾病的治疗或预防。另外，通过使由上述20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的高频交
变磁场产生的磁刺激作用于能够产生神经营养因子群的细胞，使该细胞产生神经营养因 子群，通过该神经营养因子群的作用，能够使由于疾病而发生脆弱化等的细胞的神经突 起的伸展度为非刺激组的2倍以上，因此能够提高磁疗效果。另外，上述细胞是能够产生神经营养因子和/或神经营养因子样物质的细胞， 可以包括神经胶质细胞、神经细胞、成纤维细胞、血管内皮细胞、表皮细胞、角化细 胞、免疫细胞或者肌肉细胞。另外，上述神经营养因子可以包括神经生长因子(NGF)、脑源性神经营养因 子(BDNF)、碱性成纤维细胞增殖因子(FGF-2)或者神经胶质细胞株源性神经营养因子 (GDNF)中的至少任一种。另外，神经营养因子样物质也可以是腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、 锰离子、京尼平(Genipin)、溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)、神经节苷
脂或者Rho激酶中的至少任一种。另外，上述神经营养因子产生促进装置可以是用于治疗以中枢神经系统或者脑脊髓神经系统的细胞的脆弱化、损伤或者细胞数减少为原因发生的疾病而使用的治疗器。另外，上述疾病可以是神经变性疾病、抑郁症、脑血管疾病或者脊髓损伤中的至少任一种。另外，上述产生促进用高频可以选自60 180MHz、280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz的范围。由此，能够使上述脆弱化等的细胞的神经突起的 伸展度为非刺激组的例如2.5倍以上，因此能够进一步提高磁疗效果。另外，上述产生促进用高频可以选自100 160MHz的范围。由此，能够使上 述脆弱化等的细胞的神经突起的伸展度为非刺激组的例如3倍以上，因此能够更进一步 提高磁疗效果。另外，上述产生促进用高频可以选自120 160MHz的范围。由此，能够使上 述脆弱化等的细胞的神经突起的伸展度为非刺激组的例如3.5倍以上，因此能够显著提高 磁疗效果。另外，上述高频电磁波发生单元还可以具备输出高频电流的高频振荡单元、和 通过从高频振荡单元施加高频电流，发生产生促进用高频的高频电磁波的高频用天线。 根据该结构，能够适宜地发生上述产生促进用高频的高频电磁波，使产生促进用高频的 高频交变磁场适宜地作用于被治疗体患部的细胞。另外，上述高频电磁波发生单元还可以按照预定的周期反复发生高频电磁波的 接通期间和不发生高频电磁波的断开期间，间歇发生高频电磁波。由此，能够间歇发生 高频交变磁场并作用于被治疗体患部的细胞，因此，对于该细胞，能够反复交替作用高 频交变磁场的状态和没有作用高频交变磁场的状态。从而，作用于该细胞的高频交变磁 场刺激发生变化，能够提高磁疗效果。另外，上述高频电磁波发生单元也可以按照与2.0士 10% kHz相对应的周期反复 发生高频电磁波的第1接通期间和不发生高频电磁波的第1断开期间，间歇发生高频电磁 波。另外，上述高频电磁波发生单元还可以按照与7.8士 10% Hz相对应的周期反复发生 高频电磁波的第2接通期间和不发生高频电磁波的第2断开期间，间歇发生高频电磁波。 由此，能够以被治疗体患部的细胞敏感反应的适当时间间隔间歇发生高频交变磁场，作 用于患部的细胞。另外，还可以具备低频电磁波发生单元，为了使选自上述2.0士 10% kHz的范围 的产生促进用低频的低频交变磁场对细胞发生作用，该低频电磁波发生单元发生产生促 进用低频的低频电磁波。由此，对被治疗体患部的细胞，不仅是上述高频交变磁场，还 能使适合于磁疗的产生促进用低频的频率的低频交变磁场发生作用，从而能够进一步提 高磁疗效果。另外，上述低频电磁波发生单元还可以具备输出低频电流的低频振荡单元、和 通过从低频振荡单元施加低频电流，发生产生促进用低频的低频电磁波的低频用天线。 由此，能够适宜地发生产生促进用低频的低频电磁波，使产生促进用低频的低频交变磁 场适宜地作用于被治疗体患部的细胞。另外，施加到上述低频用天线的低频电流的上升沿时间可以小于或等于0.1 μ 秒。由此，能够提高低频交变磁场的强度的变化率，因此细胞易于感受低频交变磁场。
另外，上述低频电磁波发生单元可以按照预定的周期反复发生低频电磁波的接 通期间和不发生低频电磁波的断开期间，间歇发生低频电磁波。由此，能够间歇发生低 频交变磁场并作用于被治疗体患部的细胞，因此，对于该细胞，能够交替作用低频交变 磁场的状态和没有作用低频交变磁场的状态。从而，作用到该细胞的低频交变磁场刺激 发生变化，从而能够提高磁疗效果。另外，上述低频电磁波发 生单元可以按照与7.8士 10% Hz相对应的周期反复发 生低频电磁波的第3接通期间和不发生低频电磁波的第3断开期间，间歇发生低频电磁 波。由此，能够按照被治疗体患部的细胞敏感反应的适当时间间隔间歇发生低频交变磁 场，作用于该细胞。另外，上述高频电磁波发生单元还可以按照预定的周期反复发生高频电磁波的 接通期间和不发生高频电磁波的断开期间，间歇发生高频电磁波，高频电磁波的接通期 间与低频电磁波的接通期间同步。由此，高频交变磁场和低频交变磁场在相同的时间重 复发生/非发生，因此能够明确地分离双方的交变磁场作用于患部细胞的时间和没有作 用的时间。由此，作用于该细胞的交变磁场刺激发生明显的变化，从而能够提高磁疗效^ ο另外，上述高频电磁波发生单元还可以通过按照与产生促进用高频相对应的周 期间歇发生比产生促进用高频高的频率的高频电磁波，发生产生促进用高频的高频电磁 波。由此，能够以高频率的高频电磁波作为载波，产生上述产生促进用高频的高频电磁 波。另外，上述高频电磁波发生单元发生的产生促进用高频的高频电磁波还可以包 括发生低于产生促进用高频的高频电磁波时产生的高次谐波。即，高频电磁波发生单元 还可以包括在发生上述产生促进用高频的整数分之一频率的电磁波时，作为高次谐波， 附随地发生该产生促进用高频的高频电磁波的电磁波发生单元。发明的效果如以上说明的那样，根据本发明，不用向患部实施细胞移植或者注射，通过与 治疗场所无关的简易治疗，就能够促进患部中的神经营养因子或者神经营养因子样物质 的产生，从而治疗或者预防脑疾病等各种疾病。


图1是表示本发明第1实施方式的磁疗器的外观的立体图。图2A是表示同一个实施方式的磁疗器的内部结构的一个例子的平面图。图2B是表示同一个实施方式的磁疗器的内部结构的其它例子的平面图以及表示 振荡线圈的平面图。图3是表示同一个实施方式的磁疗器的电路结构例的框图。图4是表示同一个实施方式的施加到高频用线圈以及低频用线圈上的高频电流 以及低频电流的波形的波形图。图5A是表示使用了同一个实施方式的磁疗器的治疗状态的说明图。图5B是表示使用了同一个实施方式的磁疗器的治疗状态的说明图。图6是表示由同一个实施方式的磁疗器产生的磁疗效果的机理的流程图。
图7是表示在本发明实施例的实验1中使用的磁刺激装置的结构的立体图。图8是表示本发明的实施例的实验1的实验结果的图。
图9是表示本发明的实施例的实验2的实验结果的图。图10是表示本发明的实施例的实验5的实验结果的图。图11是表示上述实施方式的磁疗器发生的电磁波的频率的测定结果的图。符号的说明10、10A、IOB 磁疗器(神经营养因子产生促进装置)12 外罩16:显示部18 电源部20 控制块21 电源供给电路22:主控制电路23:时钟生成电路24:高频振荡单元25 低频振荡单元30、30A、30B 高频用线圈40、40A、40B 低频用线圈50:振荡线圈
具体实施例方式以下，参照附图，详细说明本发明的最佳实施方式。另外，在本说明书及附图 中，对于实质上具有相同功能结构的结构要素，通过标注相同的符号省略重复的说明。(第1实施方式)以下，作为本发明第1实施方式的神经营养因子产生促进装置的一个例子，对 磁疗器进行说明。该磁疗器是通过对人体患部的细胞施加磁刺激，促进细胞中的神经营 养因子和/或神经营养因子样物质(以下，将“神经营养因子和/或神经营养因子样物 质”称为“神经营养因子群”)的产生，用于治疗以及预防脑疾病等各种疾病的治疗器。<磁疗器的结构>首先，根据图1，说明本实施方式的磁疗器10的外观结构。另外，图1是表示 本实施方式的磁疗器10的外观结构的立体图。如图1所示，磁疗器10例如具备外罩12、操作部14和显示部16。外罩12是用于在内部收容磁疗器10的各主要装置的箱体，例如，用塑料等合 成树脂等形成。在图1的例子中，该外罩12具有平坦的大致长方体形状(例如，长度 8cmX宽度6cmX高度2cm左右)，但并不限于这样的例子，例如，也能够变更成大致球 形、大致椭圆球形、大致棒形、大致立方体形、其它的使用者易于手持的形状等任意的 形状。磁疗器10的使用者通过手持这样的外罩12，使磁疗器10直接接触患部或者对患 部接近到预定距离以内，从而能够使从磁疗器10发射的电磁波(包括交变磁场)作用于 ■ 患 R^ ο
操作部14例如是用于使磁疗器10的动作(交变磁场的照射动作等)开始/停止 的开关等。例如使用者在每次按下这样的操作部14时，能够切换磁疗器10的动作/非 动作。
另外，显示部16例如由LED(发光二极管)等发光灯等构成。该显示部16能 够显示磁疗器10的动作/非动作的状态和后述的电源部(未图示)的余量或者充电状态 等。在本实施方式中，该显示部16由红色LED16a和绿色LED16b的两个LED构成。 例如，如果电源部的电池余量等大于或等于预定水平，则该红色LED16a点亮，如果小于 该水平则闪烁。另外，绿色LED16b在磁疗器10的动作时点亮或者闪烁，在非动作时熄 灭。但显示部16并不限于这样的例子，例如，也可以由能够显示文字或者图形等的 液晶显示装置(LCD)等构成。由此，显示部16能够显示磁疗器10正在照射的电磁波 (交变磁场)的频率和强度、已经持续照射的时间、照射时间、治疗程序、电池的余量、 时刻或者温度等各种信息。其次，根据图2A、图2B说明本实施方式的磁疗器10的内部结构。另外，图 2A是表示本实施方式的磁疗器10的内部结构的一个例子(磁疗器10A)的平面图，图2B 是表示本实施方式的磁疗器10的内部结构的其它例子(磁疗器10B)的平面图，以及表示 其内部的振荡线圈50的立体图。如图2A所示，在磁疗器IOA的外罩12的内部，例如设置电源部18、控制块 20、高频用线圈30A、低频用线圈40A。其中，控制块20、高频用线圈30A以及低频用 线圈40A例如设置在同一个基板17上，能够一起装卸于外罩12。电源部18例如是由各种充电电池或者干电池等电池(例如9V的干电池等)等构 成的直流电源装置，对磁疗器IOA的各部分供电。另外，控制块20例如是设置有控制磁 疗器IOA内各部的控制装置、产生高频的高频振荡电路以及时钟生成电路等(均未图示) 的电路基板，详细情况在后面叙述(参照图3)。高频用线圈30A是通过施加高频电流发射高频电磁波的天线(高频用天线)的一 个例子。该高频用线圈30A例如是由缠绕了 8圈比较粗的铜线得到的线圈所构成的环形 天线。这样的高频用线圈30A例如通过从上述控制块20施加高频电流，能够发生作为产 生促进用高频(例如100 160MHz)的高频电磁波并向周围发射。该高频电磁波包括高 频交变磁场以及高频交变电场。另一方面，低频用线圈40A是通过施加低频电流发射低频电磁波的天线(低频用 天线)的一个例子。该低频用线圈40A例如是由缠绕了 500圈比较细的铜线得到的线圈 所构成的环形天线。这样的低频用线圈40A例如通过从上述控制块20施加低频电流，能 够发生频率例如大约2.0kHz的低频电磁波并向周围发射。该低频电磁波包括低频交变磁 场以及低频交变电场。这些高频用线圈30A以及低频用线圈40A例如被平行配置，使得各个中心轴例 如大致沿相同的方向。而且，该高频用线圈30A以及低频用线圈40A的各个中心轴配置 成平行于外罩12的最宽的面(图1的上面以及下面)。从而，由高频用线圈30A以及低 频用线圈40A发生的高频电磁波以及低频电磁波形成磁力线垂直于外罩12的侧面的高频 交变磁场以及低频交变磁场。
其次，对图2B表示的磁疗器IOB进行说明。如图2B所示，在磁疗器IOB的外 罩12的内部，例如设置电源部18、控制块20、包括高频用线圈30B和低频用线圈40B的 振荡线圈50。其中，控制块20、高频用线圈30B以及低频用线圈40B例如设置在同一 个基板17上，能够一起装卸于外罩12。，图2B的磁疗器IOB与上述图2A的磁疗器IOA 相比较，仅是高频用线圈30B和低频用线圈40B的结构以及配置不同，由于其它的构成 要素大致相同，因此省略详细的说明。如图2B所示，振荡线圈50例如在直径3cm、轴方向的宽度9cm、径向的厚度 2mm的丙烯制的环形底座部52的外周上，形成了缠绕有比较粗的铜线得到的高频用线圈 30B和缠绕有比较细的导线得到的低频用线圈40B。其中，高频用线圈30B是缠绕了 1圈 的螺线管线圈(直径3cm)，低频用线圈40B是缠绕了 200圈的螺线管线圈(直径3cm， 缠绕宽度5mm)。S卩，振荡线圈50是在一个环形底座部52上，在同一个轴上制作了高 频用线圈30B以及低频用线圈40B这两种线圈。该振荡线圈50的中心轴(高频用线圈30B以及低频用线圈40B的中心轴)配置 成垂直于外罩12的最宽的面(图1的上面以及下面)。从而，由高频用线圈30B以及低 频用线圈40B发生的高频电磁波以及低频电磁波形成磁力线垂直于外罩12的最宽的面的 高频交变磁场以及低频交变磁场。以上参照图2A、图2B说明了磁疗器10的2个结构例(10A、10B)。在上述的磁 疗器IOA和磁疗器IOB中，形成交变磁场的磁力线的方向或者形状不同。然而，在每种 情况下，高频用线圈30A、30B(以下统称为“高频用线圈30” )以及低频用线圈40A、 40B(以下统称为“低频用线圈40”)发生的高频电磁波以及低频电磁波，例如，以在以 线圈的中心轴为中心的整个圆周方向大致均勻地扩散的方式照射。因此，即使以任意的 角度使磁疗器10A、IOB的任一个面接触或者接近患部，都具有磁疗效果。从而，使用 这种磁疗器10的治疗非常简便。另外，作为发射高频电磁波或者低频电磁波的天线，不限于上述图2的高频用 线圈30以及低频用线圈40那样的环形天线的例子，例如，也能够使用棒形天线等各种天 线。其次，根据图3，更详细地说明本实施方式的磁疗器10的电路结构以及动作。 另外，图3是表示本实施方式的磁疗器10的电路结构的框图。以下说明的控制块20以及上述高频用线圈30是发生预定的产生促进用频率(例 如83.3MHz)的高频电磁波的高频电磁波发生单元的一个结构例。该控制块20以及上述 低频用线圈40是发生预定频率(例如2kHz)的低频电磁波的低频电磁波发生单元的一个 结构例。如图3所示，控制块20例如具备主控制电路22、电源供给电路21、时钟生成电 路23、高频振荡单元24和低频振荡单元25。主控制电路22例如由单芯片微机等构成，具有对控制块20内的各部进行控制的 功能。电源供给电路21例如具有接通/断开控 制电路212、升压电路214、降压电路 216，具有控制把来自上述电源部18的电力供给到控制块20内各部的功能。具体而言， 接通/断开控制电路212例如检测操作部14的开关的接通/断开，把检测结果输入到主控制电路22。另外，接通/断开控制电路212根据主控制电路22的接通/断开指示，接 通/断开从电源部18向高频用线圈30以及低频用线圈40等的供电。另外，升压电路214例如能够根据需要把来自由9V干电池构成等的电源部18的 电力进行升压。由此，能够把供给到高频用线圈30以及低频用线圈40的电压维持为例 如9V。另外，升压电 路214例如在由于电源部18的电池的消耗等使自身能够输出的电压 降低到小于或等于预定水平的情况下，还能对主控制电路22输出电池消耗的错误信号。 其结果，主控制电路22如果被输入了该错误信号，则例如进行把红色LED16a从点亮切 换到闪烁的控制，向使用者通知电池的消耗。另外，降压电路216通过把电源部18的电源降压，能够把供给到主控制电路22 等的电压维持为例如5V。另外，降压电路216例如在由于电源部18的电池的消耗等使自 身能够输出的电压下降到小于或等于预定水平的情况下，还能对主控制电路22输出电压 下降的错误信号。其结果，主控制电路22进行控制，使得例如停止磁疗器10整体的动 作，从而可以预先防范由电压下降等引起的突发性的动作停止等故障。其结果，例如， 由于在磁疗器10的动作过程中点亮的绿色LED16b被控制成熄灭，因此能够向使用者通 知磁疗器10停止了动作。时钟生成电路23例如生成预定频率的时钟信号，输出到主控制电路22。该时钟 生成电路23构成为例如能够生成32.7kHz以及IOMHz的时钟信号。主控制电路22把从 该时钟生成电路23输入的时钟信号输出到低频振荡电路254。低频振荡电路254根据该 时钟信号，例如生成2.0kHz以及7.81Hz的时钟信号，分别输出到调制电路246以及线圈 驱动电路258。高频振荡单元24生成预定的产生促进用频率(例如大约83.3MHz)的高频电流， 施加到高频用线圈30上。该高频振荡单元24例如具有频率控制电路242、高频振荡电路 244、调制电路246和线圈驱动电路248。频率控制电路242具有控制高频振荡电路244生成的高频的频率的功能。具体 而言，该频率控制电路242例如根据来自主控制电路22的频率设定信号以及来自高频振 荡电路244的反馈的高频，控制高频振荡电路244输出的高频的频率。其结果，高频振 荡电路244能够稳定地产生例如83.3MHz的高频，输出到调制电路246。另外，高频只 要是能够传递预定频率的信号，则可以是高频电流或者高频电压的任一种。另外，上述 高频振荡电路244输出的83.3MHz的高频例如是大致正弦波信号。调制电路246例如根据从低频振荡电路254输入的时钟信号，能够例如以两个阶 段进行接通/断开处理，间歇输出从高频振荡电路244输入的83.3MHz的高频信号。第1阶段的接通/断开处理是例如根据2.0kHz的时钟信号，部分地截断输入的 83.3MHz的高频，间歇地输出的处理。具体而言，调制电路246反复进行例如预定的第 1接通期间(例如400 μ sec)直接输出83.3MHz的高频，接着，预定的第1断开期间(例 如IOOysec)输出把该高频的振幅截断了的信号的处理。由此，调制电路246例如能够按 照与2.0kHz相当的周期接通/断开例如作为恒稳的正弦波被输入的83.3MHz的高频，间 歇振荡83.3MHz的高频。换言之，调制电路246能够进行例如以从高频振荡电路244输 入的83.3MHz的高频作为载波，输出显示2.0kHz的大致矩形波的信号的调制处理。另外，第2阶段的接通/断开处理是例如根据7.81Hz的时钟信号，把完成了上述第1阶段的接通/断开处理的高频进一步部分地截断，间歇输出的处理。具体而言， 调制电路246反复进行例如预定的第2接通期间(例如64msec)直接输出该高频，接着， 预定的第2断开期间(例如64msec)输出把该高频的振幅截断了的信号的处理。由此， 调制电路246例如能够像上述那样，把按照与2.0kHz相当的周期间歇的83.3MHz的高频 按照与7.81Hz相当的周期接通/断开，进而能够间歇振荡按照更大的周期间歇的高频。 换言之，调制电路246例如能够把从高频振荡电路244输入的83.3MHz的高频作为载波， 输出显示7.81Hz的大致矩形波的信号。由这样的调制电路246实 施了两个阶段的接通/断开处理的高频输入到线圈驱动 电路248。线圈驱动电路248用来自电源供给电路21的电力把所输入的高频放大，按照 与2.0kHz以及7.81Hz相当的两个周期间歇振荡频率83.3MHz的高频电流，施加到高频用 线圈30上。这时，线圈驱动电路248通过控制施加到高频用线圈30的高频电流的电流 值，控制高频用线圈30发生的高频电磁波的磁场强度(磁通密度)，使得对患部作用的高 频交变磁场的磁场强度例如在50nT 0.01T以下的范围。例如，实际检测了本实施方式 的磁疗器IOB的高频用线圈30Β发生的高频电磁波的磁场强度的结果是1.3 μ Τ，由此， 距高频用线圈30Β的有效距离为3mm的范围内，能够对患部作用大于或等于50 μ T的高 频交变磁场。另一方面，低频振荡单元25例如生成大约2kHz的低频电流，施加到低频用线圈 40上。该低频振荡单元25例如具有低频振荡电路254和线圈驱动电路258。低频振荡电路254如上所述，根据从主控制电路22输入的时钟信号，例如生成 2.0kHz以及7.81Hz的时钟信号，分别输出到调制电路246以及线圈驱动电路258。另 夕卜，低频振荡电路254例如根据该时钟信号作为大致矩形波生成2.0kHz的低频，进而， 对该低频，例如按照与大约7.81Hz相当的周期(每64msec)实施接通/断开处理，生成 按照与大约7.81Hz相当的周期间歇的2kHz的低频。具体而言，低频振荡电路254反复 进行例如预定的第3接通期间(例如64msec)直接输出该低频，接着，预定的第3断开期 间(例如64msec)输出把该低频的振幅截断了的信号的处理。由此，低频振荡电路254 能够例如按照与7.81Hz相当的周期把2.0kHz的低频接通/断开，进行间歇振荡。另外， 在该低频振荡电路254的前后还可以设置与上述频率控制电路242以及调制电路246相当 的电路。线圈驱动电路258用来自电源供给电路21的电力把从低频振荡电路254输入的 低频放大，按照与7.81Hz相当的周期间歇振荡频率2.0kHz的高频电流，施加到低频用线 圈40上。这时，线圈驱动电路258通过控制施加到低频用线圈40上的低频电流的电流 值，控制低频用线圈40发生的低频电磁波的磁场强度(磁通密度)，使得对患部作用的低 频交变磁场的磁场强度例如在50nT 0.01T以下的范围。例如，实际检测了本实施方式 的磁疗器IOB的低频用线圈40Β发生的高频电磁波的磁场强度的结果是13μΤ，由此，在 距低频用线圈40Β的有效距离为3mm的范围内，能够对患部作用大于或等于50 μ T的低 频交变磁场。<电磁波发生时间>这里，参照图4，详细说明施加到本实施方式的高频用线圈30以及低频用线圈 40上的高频电流以及低频电流的波形。另外，图4是表示施加到本实施方式的高频用线圈30以及低频用线圈40上的高频电流以及低频电流的波形的波形图。如图4(a)所示，在高频用线圈30上施加产生促进用频率(例如大约83.3MHz) 的高频电流。该高频电流例如成为振幅30mA、以OA为中心对称的大致正弦波。另外，该高频电流例如不是连续波而是周期性地接通/断开的断续波。详细而 言，高频电流具有交互反复例如400 μ sec的第1接通期间(1)和例如100 μ sec的第1断 开期间(2)的波形，按照例如与大约2.0kHz相对应的周期间歇。进而，这样的高频电流 在更大的时间尺度中，具有交互反复例如64msec的第2接通期间(3)和例如64msec的 第2断开期间(4)的波形，按照例如与大约7.81Hz相对应的周期间歇。另外，由于该高 频电流是例如大约83.3MHz的高频，因此其上升沿时间以及下降沿时间例如小于或等于 0.003 μ sec,非常微小。与其相对，如图4(b)所示，在低频用线圈40上施加例如频率大约2.0kHz的低 频电流。该低频电流例如成为按照大约2.0kHz的周期交互取17 μ A或者OA的二值的矩 形波(方波)。该低频电流成为17 μ A的时间宽度(5)例如是400 μ sec，为OA的时间 宽度(6)例如是100 μ sec。另外，该低频电流的大致矩形波调整为其上升沿时间小于或 等于O.lysec，下降沿时间成为例如小于或等于1.0 μ sec。这样，通过使施加到低频用 线圈40上的低频电流的上升沿时间短至小于或等于0.1 μ sec,下降沿时间短至小于或等 于1.0 μ sec，能够增大施加该低频电流时低频用线圈40发生的低频电磁波的单位时间的 变化量。由此，由于磁刺激对象细胞易于感受极其微弱的磁场(例如磁通密度50nT 0.01Τ)(即，细胞易于受到磁刺激)，因此能够进一步促进神经营养因子群的产生。缩短 施加到低频用线圈40上的电压的上升沿时间，在线圈周围发生的磁场变化率并不增大， 但通过如上述那样缩短低频电流的上升沿时间，能够增大磁场变化率，使细胞敏感地感 受到磁场。例如，该低频电流也不是连续波而是以大约7.81Hz周期性地接通/断开的断续 波。详细而言，例如，低频电流具有交互反复64msec的第3接通期间(6)和64msec的 第3断开期间(8)的波形，按照与大约7.81Hz相对应的周期间歇。进而，如果把图4(a)以及图4(b)进行比较，则按照7.81Hz的周期接通/断开 高频电流的定时与按照7.81Hz的周期接通/断开低频电流的定时同步。更详细而言，高 频电流以及低频电流都按照与7.81Hz相对应的周期间歇(具体而言，例如按照128msec 的周期反复接通/断开)，而这时，调整高频电流以及低频电流的施加时间，使得高频电 流的第2接通期间(3)(或者第2断开期间(4))与低频电流的第3接通期间(7)(或者第 3断开期间(8))大致相同。除此以外，高频电流施加到高频用线圈30的期间(1)(高频电流的接通期间)与 低频电流为例如17 μ A的期间(5)(即，电流在低频用线圈40中流过的期间)同步。更 详细而言，高频电流以2.0kHz间歇(具体而言，例如按照500 μ sec的周期反复接通/断 开)，另一方面，低频电流以2.0kHz交互取17 μ A或者OA的二值。这种情况下，高频 电流的第1接通期间⑴与低频电流为17 μ A的期间(5) —致，高频电流的第1断开期间 (2)与低频电流为OA的期间(6) —致。这样，调整高频电流以及低频电流的施加时间， 使得高频电流实际上在高频用线圈30中流过的时间与低频电流实际上在低频用线圈40中 流过的时间同步。
例如，通过在9V下施加上述的高频电流，高频用线圈30能够发生例如与图 4(a)所示的高频电流大致相同波形的高频电磁波并向周围发射。该高频电磁波例如是频 率大约83.3MHz的高频的大致正弦波，按照与大约2.0kHz以及大约7.81Hz相当的周期， 周期性地变化。通过这样的高频电磁波的照射，产生促进用高频例如能够在磁疗器10的 周围间歇发生例如83.3MHz的高频交变磁场。更详细而言，例如，该高频交变磁场是磁通密度(磁场强度)以13 μ T为最大 振幅，以大约83.3MHz周期性地增减，磁场方向沿着正负两个方向以大约83.3MHz周期 性地变动的交变磁场，是按照与大约2.0kHz以及大约7.81Hz相当的周期间断地发生的磁 场。通过这样发生间歇的高频交变磁场，磁疗器10不仅能够将作为产生促进用高 频的大约83.3MHz的高频交变磁场，而且还能同时将以该高频交变磁场为载波的大约 2.0kHz以及大约7.81Hz的低频交变磁场的方式作用于被治疗体(人体的患部等)。另外，通过例如在9V下施加上述的低频电流，低频用线圈40能够发生与图 4(b)所示的低频电流大致相同波形的低频电磁波并向周围发射。例如，该低频电磁波是 频率大约2.0kHz的低频的大致矩形波，以大约7.81Hz周期性地变化。通过这种低频电 磁波的照射，产生促进用低频例如能够在磁疗器10的周围间歇地发生大约2.0kHz的低频 交变磁场。更详细而言，该低频交变磁场例如是以2.0kHz的周期接通/断开(例如，交互 反复400 μ sec的接通期间和100 μ sec的断开期间)磁场强度例如为13 μ Τ、磁场方向仅 固定为例如正方向的磁场而产生的交变磁场，作为整体，是以与大约7.81Hz相当的周期 间歇发生的磁场。通过这样发生间歇的低频交变磁场，磁疗器10不仅能够将产生促进用低频为大 约2.0kHz的低频交变磁场，而且还能同时将以该低频交变磁场为载波的大约7.81Hz的低 频交变磁场作用于被治疗体。进而，通过对高频用线圈30以及低频用线圈40同时并行施加上述高频电流以及 低频电流，能够同时发生这样的高频电磁波和低频电磁波。其结果，例如，能够在磁疗 器10的周围同时发生高频交变磁场和低频交变磁场。这时，如在上述图4中表示的那 样，例如，高频电磁波以及低频电磁波的7.81Hz下的间歇时间相互同步，而且，高频电 磁波的2.0kHz下的间歇时间与由低频电磁波产生的2.0kHz下的磁场发生时间同步。由此，能够使由高频电磁波照射产生的高频交变磁场的发生时间与由低频电磁 波照射产生的磁场的发生时间同步。即，能够使得当高频用线圈30发生高频交变磁场 时，低频用线圈40也发生预定强度的磁场，另一方面，当高频用线圈30没有发生高频交 变磁场时，低频用线圈40也不发生预定水平的磁场。从而，磁疗器10作为整体能够周 期性地反复磁场(高频用线圈30发生的高频交变磁场以及低频用线圈40发生的预定水平 的磁场)的发生/不发生。上述中说明了交变磁场的发生，而通过上述电磁波的照射也发生高频交变电场 和低频交变电场。这些交变电场的发生方式例如与上述交变磁场的发生方式大致相同， 因此省略其说明。另外，在上述图3以及图4的例子中，说明了产生83.3MHz的高频电磁波作为产生促进用高频，产生2.0kHz的低频电磁波作为产生促进用低频的例子，但所发生的频率 并不限于这样的例子。本实施方式的磁疗器10以与上述相同的结构，能够产生例如20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz范围的高频电磁波作为产生促进用高频，另 外，能够发生例如2士 10% kHz范围的低频电磁波作为产生促进用低频。<磁疗器的磁疗方式>其次，根据图5A以及图5B，说明由本实施方式的磁疗器10进行磁疗的方式 状态及其作用效果。另外，图5A以及图5B是表示使用了本实施方式的磁疗器10A、 10B(参照图2A、图2b)的治疗方式的说明图。如图5A以及图5B所示，磁疗器10例如是用干电池等电池动作的小型轻便的治 疗器(例如家用治疗器)，患者能够容易携带。另外，该磁疗器10是磁刺激式的治疗器， 即，通过从上述高频用线圈30以及低频用线圈40产生电磁波而能够从体外对脑内等患部 的细胞作用磁刺激。因此，磁疗器10不需要现有的电极粘贴型治疗器中的用于在人体中 流过电流的电极或者特殊的大型装置，另外，即使在向脑内等施加磁刺激的情况下，也 不需要剃去头发。在使用这样的磁疗器10治疗人体的患部(被治疗体)时，例如，如图5A(a)以 及图5B(a)所示，可以使接通了电源开始动作的磁疗器10对患部直接接触或者隔着头发 或衣服等间接接触。由此，磁疗器10向患部的磁刺激对象细胞作用如上述那样发生的 交变磁场(高频交变磁场以及低频交变磁场)。这时，交变磁场例如不仅作用于人体表 面(毛发、皮肤等)的细胞，还作用于人体内部(脑、脊髓、肌肉、血管、骨骼等)的细 胞，向这些细胞施加磁刺激。另外，磁疗器10例如不一定需要与患者接触，即使像图5A(b)以及图5B(b) 所示那样，仅是接近距体表预定距离以内的位置，也能够向患部的细胞作用上述交变磁 场。即，磁疗器10例如与电极粘贴类的接触型的磁疗器等不同，能够作为即使从头发或 者衣服之上等也能治疗的非接触型的磁疗器利用。然而，由于磁疗器10发生的交变磁场 的强度随着离开磁疗器10而减小(与离开距离的三次方成比例降低)，因此如果磁疗器 10过于离开患部，则磁疗效果减弱。因此，本实施方式的磁疗器10考虑到高频用线圈30以及低频用线圈40与磁刺 激对象的患部的距离(用于提供最低限度磁场强度的磁刺激的有效距离)，例如调整高频 用线圈30以及低频用线圈40发生的高频交变磁场以及低频交变磁场的磁场强度，使得对 该患部作用磁场强度(磁通密度)为例如50nT 0.01Τ的交变磁场。即使是该50ηΤ这样 微弱的磁场强度，也能够对细胞施加可以促进神经营养因子群的产生程度的磁刺激。由 于地磁的强度是大约6mT，因此上述50nT这样的磁场强度是地磁的大约1000分之一左右 的非常弱的强度。这里，对使用上述磁疗器10Α(参照图2Α)和磁疗器10Β(参照图2Β)时的差别 进行说明。如图5Α所示，在使用上述磁疗器IOA时，发生磁力线沿着长边方向横断磁 疗器IOA的交变磁场。另外，如图5Β所示，在使用上述磁疗器IOB时，发生磁力线沿 着短边方向纵断磁疗器IOB的交变磁场。由此，能够在患者脑内的宽深范围内产生磁刺 激。另外，磁疗器10Α、IOB由于向其整个周围发生交变磁场，因此在磁疗时，与患部 对置的磁疗器10Α、IOB的朝向不限于图5Α、图5Β那样的对体表平行的方向的例子，即使是垂直于体表的方向、斜方向等任意的方向也能够对患部作用交变磁场而进行治疗。如以上那样，通过使用上述磁疗器10，对患部作用高频交变磁场以及低频交变 磁场，例如促进患部特定细胞中的神经营养因子群的产生，由该神经营养因子群促进中 枢神经系统细胞或者脑神经系统细胞的恢复，从而能够发挥治疗脑疾病等的磁疗效果。这时，磁疗器10由于间歇产生上述高频电磁波以及低频电磁波，因此使交变磁 场断续地作用于患部，能够产生磁场的变化。因此，不会像连续发生恒稳交变磁场的情 形那样，由于患部的组织(细胞等)习惯了恒稳的交变磁场而使磁疗效果减弱。进而， 由于高频交变磁场的发生时间与低频交变磁场的发生时间同步，因此作为磁疗器10作用 的磁场整体还具有强弱变化。因此，能够更明确有无对患部的磁刺激，提高磁疗效果。进而，调整磁疗器10，使得所发生的高频电磁波的上升沿时间以及下降沿时间 短至例如小于或等于0.003 μ sec，并且，大致矩形波的低频电磁波的上升沿时间小于或等 于0.1 μ sec，下降沿时间例如小于或等于Ι.Ομ sec。因此，在上述交变磁场变化时，磁 场的作用/非作用的变化速度很快。从而，由于患度的组织对这样的磁场变化敏感地反 应，因此磁疗效果提高。另外，磁疗器10还具有一个特征，S卩，对患部的细胞起作用的高频交变磁场以 及低频交变磁场的强度(磁通密度)例如大于或等于50nT、小于或等于0.01Τ，与现有的 其它磁疗器(例如0.8 10Τ)相比较非常小。S卩，在如现有的磁疗器那样使用了高磁场 强度的情况下，有可能因磁刺激而在脑等患部中产生伤害。由这种强的磁刺激引起的伤 害是众所周知的，为此，在发达国家中确定了磁场环境下的安全作业基准。例如，在美 国(斯坦福大学，1971年)对全身、头部的磁刺激规定为0.02Τ，每一天暴露几分钟。然而，在现有的磁疗法中，作用大于或等于0.1Τ的磁场的情形占据了大半。例 如，即使直径几毫米的肩部肌肉僵硬治疗用的磁铁，其磁场强度也是0.08 0.13Τ。因 此，不能否定长期使用以高强度磁场产生磁刺激的现有磁疗器引起对生物体的伤害的可 能性。与此不同，本实施方式的磁疗器10由于作用于患部细胞的磁场强度如上所述是大 于或等于50ηΤ、小于或等于0.01Τ，非常微弱，因此使生物体发生伤害的可能性极低，特 别是能够提供对脑等敏感的重要患部的安全磁疗。但是，如果对患部作用的交变磁场的磁场强度过低(例如小于30ηΤ)，则磁疗效 果可能降低。在某一种说法中，认为细胞能够反应的最低磁场强度例如是30ηΤ左右。 因而，在本实施方式的磁疗器10中，调整高频用线圈30以及低频用线圈40发生的高 频交变磁场以及低频交变磁场的磁场强度，以使对患部的细胞作用的磁场程度例如成为 50ηΤ 0.01Τ的适宜范围。这些线圈发生的交变磁场的磁场强度根据磁疗器10内的高频 用线圈30以及低频用线圈40与磁刺激对象的患部的距离(例如，从体表到脑内患部的距 离)以及患部的磁导率(例如，脑的磁导率)等而决定。具体而言，在本实施方式的磁疗器10的结构中，例如，对从体表起6cm以内深 度的患部，在至少作用50nT的高频交变磁场以及低频交变磁场时(即，使由磁疗器10产 生的磁刺激的有效距离为6cm时)，可以把高频用线圈30B发生的高频交变磁场的该线圈 30B附近的磁场强度设定为例如大约0.01T，把低频用线圈40B发生的低频交变磁场的该 线圈40B附近的磁场强度设定为例如大约大于或等于0.1T。另外，在使上述有效距离为 12cm时，可以把上述高频交变磁场的线圈30B附近的磁场强度设定为例如大约0.1T，把上述低频交变磁场的线圈40B附近的磁场强度设定为例如大约1T。如以上那样，本实施方式的磁疗器10例如为了促进患部细胞的神经营养因子群 的产生，作用适当的频率以及磁场强度的交变磁场，并且能够以细胞易于受到刺激的时 间切换这种交变磁场的作用/非作用。从而，本实施方式的磁疗器10与现有的磁疗器相 比较，磁疗效果非常高。另外，磁疗器10操作简单，而且不仅是电池驱动式、小型轻便、易于携带，而 只要像上述那样接触或者接近患部，就能够容易而且在短时间(例如10分钟)内发挥治 疗效果。从而，使用这种磁疗器10的磁疗不像现有的脑再生疗法还需要进行向脑内移 植细胞的手术或者向脑内注入这样高级的医疗技术。由此，患者不必住院，就能够在家 庭、职场、学校等任意的场所，由患者自身使用磁疗器10随时简单地进行治疗。另外，现有的进行向脑内移植细胞的手术或者向脑内注入这样的再生疗法有可 能引起脑损伤或者感染症等负作用。与此不同，本实施方式的磁疗器10通过从体外对具 有产生神经营养因子群的功能的细胞施加磁刺激，促进在细胞内产生神经营养因子群， 促进脆弱化等的中枢神经系统细胞或者脑脊髓神经系统细胞等的自行恢复或者增殖。因 此，由于不需要像细胞移植手术或者注射那样向脑内介入医疗器具，所以没有脑的损伤 或者感染症等负作用，具有减小对患部周围的细胞、组织的影响的极大优点。<磁疗器的治疗对象>其次，详细说明本实施方式的磁疗器10的(1)磁刺激对象细胞、(2)通过磁刺 激产生的物质、(3)治疗对象的部位、(4)治疗对象的疾病。(1)磁刺激对象细胞(能够产生神经营养因子群的细胞)磁疗器10的磁刺激对象细胞是能够产生神经营养因子和/或神经营养因子样物 质的细胞。具体而言，该磁刺激对象细胞例如是神经胶质细胞、神经细胞、成纤维细 胞、血管内皮细胞、肌肉细胞、表皮细胞、角化细胞或者免疫细胞等。这种磁刺激对象 细胞存在的主要部位例如是脑、脊髓、神经、血管、肌肉、皮肤等。其中，神经胶质细胞(neuroglia)是产生神经营养因子群的代表性细胞的总称， 例如，有星形胶质细胞(星形神经胶质astroglia)、小胶质细胞(microglia)、少突胶质 细胞(oligodendrocyte)、施万细胞(Schwann cell)、套细胞(mantle cell)等。神经胶质细胞 例如存在于脑、神经细胞的周围、血管、肌肉等中，向神经细胞或者神经胶质细胞供给 自身产生的神经营养因子群，支持这些细胞的增殖、恢复。另外，上述的成纤维细胞、 血管内皮细胞、肌肉细胞、表皮细胞或者免疫细胞等这种存在于体内任一部位的非神经 系统的细胞也产生神经营养因子群。(2)通过磁刺激产生的物质如果由磁疗器10对上述磁刺激对象细胞(神经胶质细胞等)施加磁刺激，则在 该细胞中，产生神经营养因子和/或神经营养因子样物质。该神经营养因子和/或神经 营养因子样物质的生理性效果成为由磁疗器10产生的磁疗效果的主要部分。神经营养因子(NT: Neurotrophin)是存在于脑、脊髓、末梢神经中的神经系 统细胞的生存和维持正常功能的分子(蛋白质)，在发生期的神经系统细胞的生长和分 化、或者受到损伤的神经系统细胞的再生或者生存、维持等中具有重要的功能。该神 经营养因子例如包括神经生长因子(NGF Nerve Growth Factor)、脑源性神经营养因子(BDNF Brain-Derived Neurotrophic Factor)、碱性成纤维细胞增殖因子(FGF-2 Fibroblast Growth Factor-2)、神经胶质细胞株源性神经营养因子(GDNF Glial cell line-Derived Neurotrophic Factor)等。神经营养因子样物质是神经营养因子以外的具有神经系统细胞的神经突起伸 展作用的物质群。该神经营养因子样物质与上述神经营养因子相同，是支持神经系统 细胞的生存和维持正常功能的物质，具有蛋白质性成分和非蛋白质性成分。该神经营 养因子样物质例如包括腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP: adenosine monophosphate) >锰离子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生药的低分子物质)、溶血 磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)(动植物膜成分)、神经节苷脂、Rho激酶 等。其中，腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸是非蛋白质性的神经营养因子样物质，Rho 激酶是蛋白质性的神经营养因子样物质。(3)治疗对象的部位被治疗体中的治疗对象的部位(患部)是中枢神经系统(CNS Central Nervous System)或者脑脊髓神经系统(Craniospinal Nervous System)。中枢神经系统包括端脑、间
脑、中脑、小脑、脑桥、延髓、脊髓以及血管。该中枢神经系统由神经细胞(neuron)、 神经胶质细胞和血管构成。另外，脑脊髓神经系统是周围神经系统(PNS : Peripheral Nervous System)中，由脑神经(cranial nerves)和脊神经(spinal nerves)构成的神经系统。
该脑脊髓神经系统由神经细胞(neuron)、施万细胞以及套细胞构成。构成这些中枢神经 系统和脑脊髓神经系统的细胞通过由上述神经胶质细胞等供给的神经营养因子群的生理 效果，进行修复、生长、分化、增殖，有助于以下所示的各种疾病的治疗。另外，所谓 细胞的分化，是细胞的性质、形态发生变化。另外，所谓中枢神经系统细胞，指的是存 在于中枢神经系统(端脑(大脑半球)、间脑、中脑、小脑、脑桥、延髓、脊髓、血管) 中的细胞。另外，所谓脑脊髓神经系统细胞，指的是存在于脑脊髓神经系统中的细胞。另外，在被治疗体(例如人体)中，上述那样的治疗对象部位(患部)与由磁疗 器10产生的磁刺激的对象部位既可以是同一部位，也可以是不同的部位。例如，为了治 疗脑(治疗对象部位)，可以对脑(磁刺激对象部位)施加磁刺激。另外，为了治疗脊髓 (治疗对象部位)可以对能够向该脊髓供给神经营养因子群的部位例如大腿部(磁刺激对 象部位)施加磁刺激。(4)治疗对象的疾病磁疗器10的治疗对象疾病是由于各种原因使构成上述中枢神经系统或者脑脊髓 神经系统的细胞(例如神经细胞或者神经胶质细胞)脆弱化、损伤，或者其细胞数减少而 引起的疾病。具体而言，治疗对象疾病是例如(a)神经变性疾病(阿尔茨海默病性痴呆、 帕金森病、亨延顿舞蹈病、肌肉萎缩性侧索硬化症、多发性硬化症、多系统萎缩症、脊 髓小脑变性症等)、(b)抑郁症、(c)脑血管疾病(脑卒中、脑梗塞等)、(d)慢性疼痛、 (e)神经因性疼痛、(f)脊髓损伤(病变或者由外伤引起)等。另外，虽然不是疾病，但 是为了预防这些疾病的(g)神经保护作用也是磁疗器10产生的磁疗效果之一。这样，本实施方式的磁疗器10能够作为神经变性疾病治疗器(阿尔茨海默病性 痴呆治疗器、帕金森病治疗器、亨延顿舞蹈病治疗器、肌肉萎缩性侧索硬化症治疗器、 多发性硬化症治疗器、多系统萎缩症治疗器、脊髓小脑变性症治疗器等)、抑郁症治疗器、脑血管疾病用治疗器(脑卒中治疗器、脑梗塞治疗器等)、慢性疼痛治疗器、神经因 性疼痛治疗器、脊髓损伤治疗器、或者上述各种疾病的预防装置等利用。例如，在治疗抑郁症的情况下，使用上述磁疗器10对人体的脑照射交变磁场， 促进由脑内的神经胶质细胞(星形胶质细胞等)分泌BDNF、NGF等，对发生了脆弱化 等的中枢神经系统细胞提供神经营养因子群，由此使周边的中枢神经系统细胞增殖、再 生，从而恢复细胞功能，恢复5-羟色胺(脑内快乐物质)的产生，从而能够有助于抑郁 症的治疗。另外，在治疗阿尔茨海默病性痴呆的情况下，使用上述磁疗器10对人体的脑照 射交变磁场，促进由发生了脆弱化等的脑内的Meynert核的神经胶质细胞(星形胶质细胞 等)分泌BDNF、NGF等，使由于β淀粉样蛋白沉着而发生脆弱化等的大脑皮质细胞增 殖、再生，从而能够有助于阿尔茨海默病性痴呆的治疗。另外，在治疗脑卒中的情况下，使用上述磁疗器10对人体的脑照射交变磁场， 促进由因血管阻塞等受到损伤的部位的神经胶质细胞(星形胶质细胞等)分泌BGNF、 NGF等，对受到损伤的细胞提供神经营养因子群，由此使受到损伤的部位的神经细胞、 神经胶质细胞增殖、再生，从而能够有助于脑卒中的治疗。另外，在治疗神经因性疼痛的情况下，通过使用上述磁疗器10对感觉疼痛的患 部照射交变磁场，促进在神末梢神经中产生BDNF、NGF等。该BDNF、NGF等在神 经细胞内移动，输送到脊髓后根神经节、脊髓，在脊髓后根神经节、脊髓中增殖星形胶 质细胞，由此能够恢复神经过敏症，治疗神经因性疼痛。NGF等在所产生的周边部位或 者神经细胞内移动，输送到脊髓后根神经节、脊髓中，使受到损伤的感觉神经修复、再 生，从而有助于治疗。<磁疗效果的机理>其次，参照图6，说明通过由本实施方式的磁疗器10产生的交变磁场的磁刺激 对上述疾病发挥磁疗效果的机理。图6是表示由本实施方式的磁疗器10产生的磁疗效果 的机理的流程图。作为该磁疗效果的机理，总体而言，在于对脑疾病等患部(脑等)中的中枢神经 系统细胞以高浓度供给神经营养因子和/或神经营养因子样物质(以下，称为“神经营养 因子群”)，促进中枢神经系统细胞的再生。详细而言，在于通过从磁疗器10照射高频 交变磁场，对神经胶质细胞等这样的能够产生神经营养因子群的细胞(上述磁刺激对象 细胞)施加磁刺激，促进该细胞内的神经营养因子群的产生，将该细胞中产生的神经营 养因子群供给脑疾病等患部的细胞，使由于脑疾病而脆弱化、损伤、减少了等的中枢神 经系统细胞修复、生长、分化、增殖。如图6所示，作为该神经营养因子群的产生促进的机理，通过细胞实验的 结果认为同时引起了三个细胞内过程。这三个过程是(1)由细胞内由钙离子浓度上 升引起的胞吐作用所产生的神经营养因子群的释放(S10 —S20 —S30)、(2)由细 胞内钙离子浓度上升引起的mRNA的增加所产生的神经营养因子群的合成以及释放 (S10 — S20 — S40 — S42 — S44)、(3)不以细胞内钙离子浓度上升为起因的mRNA的增 加所产生的神经营养因子群的合成以及释放(S10 — S40 — S42 — S44)。以下，分别说 明这些神经营养因子群的产生过程。
(1)胞吐作用胞吐作用(开口释放)是真核细胞具有的细胞功能，是将蓄积在细胞内的物质释 放到细胞外的功能。由于是开口释放，因此如蛋白质那样的巨大分子也能够释放到细胞 外。详细说明该过程(1)。首先，通过由磁疗器10产生的磁刺激(SlO)，在神经胶 质细胞等产生神经营养因子群的细胞中，存在于细胞膜表面或者细胞内的电位依赖性钙 离子通道或者电位非依赖性的钙离子通道开放，从细胞外或者细胞内的钙贮藏部位供给 钙离子，细胞内钙离子浓度上升(S20)。通过细胞内钙离子浓度上升，细胞内的贮藏有神 经营养因子群的小泡与细胞膜融合，引起向细胞外的空间释放神经营养因子的胞吐作用 (S30)。即使细胞内的钙离子浓度稍稍上升10%也诱发胞吐作用。在细胞内的钙离子浓 度上升以后，在几分钟以内开始释放现象并结束。(2)伴随着细胞内的钙离子浓度上升的mRNA的增加该过程(2)起因于细胞增殖促进作用。在神经科学的领域中，已知神经营养因 子群也能够在细胞分裂期产生。通过上述的磁刺激(SlO)，如果细胞内钙离子浓度上升 (S20),则该细胞的增殖周期加快。处于细胞增殖期的静止期的细胞通过上述钙离子浓度 的上升，经过Gl期，转移到S期。在S期中，发生DNA、RNA的复制，增加用于产 生神经营养因子群的mRNA(S40:作为说明这一点的数据，参照后述的实验2的结果)。 由该复制增加了的mRNA使得作为蛋白质的神经营养因子核作为蛋白质性成分的一部分 神经营养因子样物质合成(S42)，并向细胞外释放所合成的神经营养因子群(S44)。由该 过程(2)产生神经营养因子群认为在神经刺激后，随着时间而增大。从细胞分裂的机理 出发，可以认为这一点是妥当的。(3)不以细胞内钙离子浓度上升为起因的mRNA的增加在该过程(3)中，在受到上述磁刺激(SlO)的细胞内，不以细胞内钙离子浓度的 上升为起因，mRNA增加(S40)，合成神经营养因子群(S42)，释放到细胞外(S44)。说明认为产生该过程(3)的根据。在后述的实验1中，将对MB8细胞(磁刺激 对象细胞)的磁刺激经过3个小时后的培养基添加到PC12细胞(被供给神经营养因子群， 分化的细胞)中，确认了 PC12细胞的神经突起的伸展。实验1中使用的MB8细胞的分 裂是大致一天1次。由于在实验条件的磁刺激3个小时后的培养中转移到S期的细胞少， 因此认为如上述过程(3)所述，通过磁刺激直接激活了 mRNA的增加作用。另外，在其 它的实验中，对所培养的神经细胞进行10分钟磁刺激，然后放置了 10分钟以后，得到了 神经细胞内的MAP激酶活性上升了大约20%这样的实验数据。MAP激酶是以级联反应 调整细胞内的蛋白质活化、DNA、RNA合成的酶。该级联反应称为MAP激酶系统，是 从细胞膜向核传递信号的反应系统。由于该反应系统的动作，促进作为蛋白的神经营养 因子的合成，因此也增加mRNA。上述过程(2)起因于细胞内钙离子浓度上升，发生RNA的合成。然而，在上述 实验中，在3个小时的反应时间中合成mRNA，根据其命令，合成神经营养因子群的量很
少。因此，如果鉴于这样的实验结果，则可以说不仅进行上述过程(2)，还同时进行过程 ⑶。这里，对非蛋白质性的神经营养因子样物质的产生机理进行说明。作为神经营养因子样物质的代表性物质，例如有腺嘌呤核苷(adenosine)、腺嘌呤核苷一磷酸 (AMP adenosine monophosphate) >锰离子、京尼平(Genipin)(植物成分，源自生药的 低分子物质)、溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)(动植物膜成分)、神经
节苷脂、Rho激酶。除此以外还发现了数百种神经营养因子样物质，但没有被确定的物 质很多。这些神经营养因子样物质如称为单体离子(锰离子等)、低分子物质(腺嘌呤核 苷、腺嘌呤核苷一磷酸等)、脂质(溶血磷脂酰乙醇胺(Iysophosphatidylethanolamine)、神
经节苷脂等)、蛋白质性成分(Rho激酶等)那样，其种类、物性多种多样。蛋白质性的 神经营养因子样物质受到mRNA的指导而促进合成，释放到细胞外。另一方面，非蛋白 质性的神经营养因子样物质由于其种类多，产生机理也不相同。例如，单体离子或者低 分子性物质的神经营养因子样物质既有存在于细胞内的，也有在细胞内合成的。另外， 脂质的神经营养因子样物质在细胞内合成。认为任一种非蛋白质性的神经营养因子样物 质的情况都通过胞吐作用释放到细胞外。由于脂质的神经营养因子样物质也是细胞膜的 构成成分，因此认为也有通过胞吐作用以外的过程释放到细胞外的情况。通过以上那样的过程(1) (3)，如果在受到磁刺激的细胞(神经胶质细胞等) 中产生神经营养因子群，则该神经营养因子群供给到由疾病等脆弱化了的中枢神经系统 细胞等中，通过神经营养因子群，中枢神经系统细胞受到保护作用(S50)。其结果，脆 弱化了的中枢神经系统细胞被激活，进行修复、生长、分化、增殖(S60)，从而能够得到 以上述中枢神经系统细胞的脆弱化等为原因的脑疾病(神经变性疾病、抑郁症、脑血管 疾病等)的治疗效果(S70)。根据以上说明的机理，通过使用磁疗器10对患部施加适当的磁刺激，促进细胞 内的神经营养因子群的产生，能够发挥对上述脑疾病等各种疾病的出色的治疗或预防效^ ο从这样的观点出发，本实施方式的磁疗器10例如能够发射磁通密度小于或等于 0.01T、大约120 160MHz的产生促进用频率的高频交变磁场以及大约2.0kHz的低频交 变磁场作为能够施加适当的磁刺激的交变磁场，作用于患部。该大约120 160MHz左 右的高频交变磁场的照射刺激，例如与其它的频率相比较，促进细胞中的神经营养因子 群的产生的作用大。另外，2.0kHz的低频交变磁场的照射刺激例如具有使β -内啡肽和 细胞因子等从细胞释放的作用。另外，作用于患部的高频交变磁场的产生促进用频率，根据后述的实验结果， 在磁疗效果上，大约120 160MHz是适宜的，但也发现即使是除此以外的频率范 围，也充分有助于细胞内的钙离子浓度上升。该适宜的产生促进用频率的范围是20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz(第 4适宜范围)，更优选的是60 180MHz、 280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz(第3适宜范围)，更加理想的是 100 160MHz(第2适宜范围)，最优选的是120 160MHz(第1适宜范围)。这里举 出的范围中，由于越是后者范围的产生促进用频率，越能够在磁刺激对象细胞中更多地 产生神经营养因子群，供给到治疗对象的部位的细胞中，因此可以说磁疗效果越高。实施例以下，说明验证由上述实施方式的磁疗器10产生的磁疗效果而进行的实验的实验结果。该磁疗器10如上所述，能够发射适宜的产生促进用频率的高频交变磁场以及低 频交变磁场(例如2.0kHz)对被治疗体施加磁刺激。另外，以下的实施例是为了实验验 证上述实施方式涉及的磁疗器10的磁疗效果的例子，本发明并不限于以下的例子。< 实验 1>首先，对实验1进行说明，该实验1是为了决定由上述磁疗器10作用于被治疗 体细胞的高频交变磁场的产生促进用频率的适宜范围。在该实验1中，对磁刺激对象细胞(MB8细胞)作用互不相同的多个频率(20 3000MHz)的高频交变磁场，在培养基内产生了神经营养因子群以后，把含有该神经营因 子群的培养基添加到PC12细胞(因神经营养因子群的存在使神经突起伸展分化的细胞) 中，判定神经突起的伸展度，对每个频率均求出与没有施加磁刺激的非刺激组相比较而 得到的磁疗的效果度。首先，说明本实验1的实验条件及其顺序⑴ (5)。(1)MB8细胞以及PC12细胞的培养作为神经营养因子群的产生细胞(磁刺激对象细胞)，使用了作为神经胶质类细 胞的“MB8细胞”。该MB8是产生神经营养因子以及神经营养因子样物质的细胞。培 养出生8天后的小鼠的脑细胞，使神经胶质细胞增殖，得到MB8细胞。将该MB8细胞 接种于24孔培养板(胶原蛋白I包被)中，每孔接种大约15.5X105个，使用添加有10% FBS的DMEM培养基(日水制药公司制)以及二氧化碳培养装置(孵箱)，在温度37°C、 二氧化碳浓度5%的环境下培养24小时。另外，作为用于确认神经突起伸展的细胞，使用了 PC12细胞(JCRB0266)。该 PC12细胞是肾上腺髓质的嗜铬细胞瘤细胞，是在神经生长因子的实验、研究中标准使用 的细胞。该PC12细胞是在神经生长因子(NGF)等的存在下伸展神经突起的细胞，在神 经生长因子等的作用下从肾上腺细胞向神经细胞开始分化。该PC12细胞使用了从作为 细胞银行的团体法人人类科学研究资源银行(Human Science Research Resources Bank)分 出的细胞。把该PC12细胞接种在48孔培养板(胶原蛋白IV包被)中，每孔接种大约 28X 102个(细胞之间的间隔不过于接近的程度)，使用添加有10%马血清+5% FBS的 RPMI1640培养基(日水制药社制)以及二氧化碳培养装置，在温度37°C、二氧化碳浓度 5%的环境下培养了 24小时。另外，以下的细胞培养完全在该温度37°C、二氧化碳浓度 5%的环境下进行。(2)对MB8细胞的磁刺激使用与上述磁疗器IOB (参照图2B)相当的实验用磁刺激装置，对上述培养板内 的各MB8细胞(神经营养因子群的产生细胞)施加磁刺激。磁刺激通过使用磁刺激装置 从培养板的下面侧照射交变磁场而进行。此时，在施加了 30分钟磁刺激以后，培养30 分钟(培养过程中没有磁刺激)，进而再施加30分钟磁刺激。这样，将作用于MB8细 胞的高频交变磁场的频率以每个实验单位在20MHz 3000MHz的范围内阶段性地改变， 分别进行了实验。对该磁刺激中使用的实验用磁刺激装置的结构进行详细说明。该磁刺激装置由 用于生成MHz频带(20MHz 3000MHz)的高频的信号发生器(“E4421B” Agilent公司 制)、用于生成kHz频带(2.0kHz)的低频的函数发生器(“33220A” Agilent公司制)、用于生成Hz频带(7.81kHz)的低频的函数发生器(“FG320”横河电机公司制)、调整 这三种频带信号的输出强度的RF-AMP单元(放大器)、统一控制这三种频带的信号的控 制单元、和上述图2B的磁疗器IOB具备的振荡线圈50构成。在磁刺激时，如图7所示，在振荡线圈50上放置上述MB8细胞的培养板60， 盖上遮光布。接着，在振荡线圈50的高频用线圈30、低频用线圈40上分别施加高频电 流、低频电流，发生包括高频交变磁场以及低频交变磁场的电磁波，由此，对培养板60 的各培养孔内的MB8细胞施加30分钟磁刺激以后，中止磁刺激培养30分钟，进而再施 加30分钟的磁刺激。这时，在每个实验单位，在20 3000MHz之间阶段性地使施加到高频用线圈30 上的高频电流的频率变化，使不同的产生促进用高频的高频交变磁场作用于细胞。另一 方面，施加到低频用线圈40上的低频电流的频率维持为2.0kHz，使一定频率(2.0kHz)的 低频交变磁场作用于细胞。由此，能够排除低频交变磁场的影响而对高频交变磁场的频 率与MB8细胞内的神经营养因子群的产生度的相关性进行实验。另外，即使在高频交变 磁场是任一种频率的情况下，也如在上述图4中表示的那样，按7.81Hz间歇地输出高频 交变磁场以及低频交变磁场的双方。另外，测定了磁刺激中的上述振荡线圈50的中心部 的磁场强度(磁通密度)，83.3MHz的高频电磁波的磁场强度是1.26 μ T，低频电磁波的 磁场强度是13 μ Τ。(3)磁刺激后的ΜΒ8细胞的培养、神经营养因子群的产生使用上述培养板在温度37°C下把受到了上述(2)的各频率的磁刺激的磁刺激组 的各MB8细胞(神经营养因子群的产生细胞)培养了 3个小时。在培养过程中，MB8细 胞产生与受到上述磁刺激时的各频率相应的量的神经营养因子群，并释放到细胞外。另 外，没有实施上述(2)的磁刺激的非刺激组的MB8细胞也在与磁刺激组相同的条件下进 行了培养。(4)将神经营养因子群供给PC12细胞、神经突起的伸展上述(3)的培养以后，吸取磁刺激组的各MB8细胞的培养基(含有MB8细胞 产生的神经营养因子群)，用微过滤器过滤，把该过滤后的培养基分别添加到PC12细胞 中。然后，在温度37°C下将各PC12细胞培养24小时。在培养过程中，各PC12细胞根 据培养基内存在的神经营养因子群的数量而形成并伸展神经突起。另外，添加了非刺激 组的MB8细胞的培养基的PC12细胞也同样进行了培养。(5)PC12细胞中的神经突起的伸展度的判定用显微镜观察上述(4)的培养后的各PC12细胞，把神经突起的长度伸展到大于 或等于一个细胞长度的情况判定为阳性细胞。每个频率的磁刺激组观察30个PC12细胞， 记录阳性细胞数。另外，对于非刺激组的PC12细胞也同样进行判定，记录阳性细胞数。然后，根据以下的公式，求出了上述每个频率的磁刺激的效果度。该效果度的 指标为在每个频率表示磁刺激组的PC12细胞与非刺激组的PC12细胞相比较伸展何种程 度的神经突起，即，由磁刺激产生的PC12细胞的神经突起的伸展度(磁疗效果)。艮口， 该效果度越高，表示MB8细胞内的神经营养因子群通过磁刺激越大量产生(神经营养因 子群的产生度高)，该神经营养因子群使PC12细胞的神经突起越伸展(神经突起的伸展 度高)。这一点表示，通过以高浓度供给神经营养因子群，可以适宜地促进以疾病为原因已经脆弱化等的中枢神经系统细胞或者脑脊髓神经系统细胞的修复、生长、分化、增 殖，疾病的磁疗效果度高。(效果度)=(磁刺激组的阳性细胞数)/(非刺激组的阳性细胞数)进而，如上述那样，在每个实验单位得到了神经突起的伸展效果以后，在每个 相同的频率总计它们的效果，求出了神经突起伸展的平均效果度(倍)。针对所有频率本实验1合计进行了 2173次。在收集各实验数据时，在每个频率 的实验中，去除了有可能是磁刺激以外的因素影响神经突起伸展的数据(例如，细胞培 养的不良、在同一个频率中与其它的实验数据偏离很大的特异性实验数据)。在本实验1 中，在各实验日，再次进行了有关非刺激组的神经突起伸展的确认、135MHz下的磁刺激 时的神经突起伸展的确认以及由前一天实验所使用的频率中的任一频率产生的磁刺激时 的神经突起伸展的确认的实验，保证了实验的正确性。另外，在上述实验1中使用的PC12细胞具有在神经生长因子等的作用下从肾上 腺细胞开始向神经细胞分化的特性，通过神经突起的伸展，能够很容易地判断该PC12细 胞分化成神经细胞。神经营养因子群产生反应有多种机制，而且各个反应在多个反应的 协同下进行(级联反应)。在本实验1中，并不是研究这些各机制和反应，而是研究对于 机体重要的而且作为综合性的最终的神经功能的神经突起的伸展现象的表现程度。艮口， 即使促进与上述神经营养因子群的产生有关的各个反应，但是如果最终没有神经突起的 伸展，则也认为治疗价值低，因此，测定了每个频率的神经突起的伸展度作为表示磁疗 效果的指标。以上说明了实验1的实验条件以及实验顺序。表1以及图8表示该实验1的实 验结果。另外，图8的曲线图是在每个频率[MHz]把表1表示的平均效果度(倍)的实 验数据标记而描绘的近似曲线。[表1]
权利要求
1.一种神经营养因子产生促进装置，该神经营养因子产生促进装置通过对细胞施加 磁刺激，促进神经营养因子或者神经营养因子样物质的产生，其特征在于具备高频电磁波发生单元，为了使选自20 180MHz、280 600MHz、700 1000MHz的范围的产生促进用高频的高频交变磁场在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度 下对所述细胞发生作用，所述高频电磁波发生单元发生所述产生促进用高频的高频电磁 波，通过由所述产生促进用高频的高频交变磁场产生的磁刺激，使所述细胞内的钙离子 浓度上升，诱发所述神经营养因子或者所述神经营养因子样物质的胞吐作用，并通过所 述磁刺激，增加所述细胞内的所述神经营养因子或者所述神经营养因子样物质的转录因 子(mRNA)，促进所述神经营养因子或者所述神经营养因子样物质的合成以及向细胞外 的释放。
2.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述细胞是能够产生所述神经营养因子和/或所述神经营养因子样物质的细胞，包 括神经胶质细胞、神经细胞、成纤维细胞、血管内皮细胞、表皮细胞、角化细胞、免疫 细胞或者肌肉细胞。
3.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述神经营养因子包括神经生长因子(NGF)、脑源性神经营养因子(BDNF)、碱性 成纤维细胞增殖因子(FGF-2)或者神经胶质细胞株源性神经营养因子(GDNF)中的至少 任一种。
4.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述神经营养因子样物质包括腺嘌呤核苷、腺嘌呤核苷一磷酸(AMP)、锰离子、京 尼平、溶血磷脂酰乙醇胺、神经节苷脂或者Rho激酶中的至少任一种。
5.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述神经营养因子产生促进装置是用于治疗以中枢神经系统或者脑脊髓神经系统的 细胞的脆弱化、损伤或者细胞数减少为原因发生的疾病而使用的治疗器。
6.如权利要求5所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述疾病包括神经变性疾病、抑郁症、脑血管疾病或者脊髓损伤中的至少任一种。
7.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述产生促进用高频选自60 180MHz、280 300MHz、450 550MHz或者900 950MHz的范围。
8.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述产生促进用高频选自100 160MHz的范围。
9.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述产生促进用高频选自120 160MHz的范围。
10.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于，所述高频电磁波 发生单元具备输出高频电流的高频振荡单元、和通过从所述高频振荡单元施加高频电流，发生所述产生促进用高频的高频电磁波的 高频用天线。
11.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述高频电磁波 发生单元按照预定的周期反复发生所述高频电磁波的接通期间和不发生所述高频电磁波 的断开期间，间歇发生所述高频电磁波。
12.如权利要求11所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述高频电磁 波发生单元按照与2.0士 10% kHz相对应的周期反复发生所述高频电磁波的第1接通期间 和不发生所述高频电磁波的第1断开期间，间歇发生所述高频电磁波。
13.如权利要求11所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述高频电磁 波发生单元按照与7.8士 10% Hz相对应的周期反复发生所述高频电磁波的第2接通期间和 不发生所述高频电磁波的第2断开期间，间歇发生所述高频电磁波。
14.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述高频电磁波 发生单元通过按照与所述产生促进用高频相对应的周期间歇发生比所述产生促进用高频 高的频率的高频电磁波，发生所述产生促进用高频的高频电磁波。
15.如权利要求1所述的神经营养因子产生促进装置，其特征在于所述高频电磁波 发生单元发生的所述产生促进用高频的高频电磁波包括发生小于所述产生促进用高频的 高频电磁波时产生的高次谐波。
全文摘要
本发明提供一种神经营养因子产生促进装置，为了治疗或者预防脑疾病等各种疾病，该神经营养因子产生促进装置不向患部实施细胞移植或者注射，而是通过与治疗场所无关的简易方法，促进患部中的神经营养因子或者神经营养因子样物质的产生。神经营养因子产生促进装置具备高频电磁波发生单元，为了使20～180MHz、280～600MHz、700～1000MHz的范围的高频交变磁场在小于或等于0.01特斯拉的磁通密度下对细胞发生作用，该高频电磁波发生单元发生该频率的高频电磁波，通过由该高频的高频交变磁场产生的磁刺激，使细胞内的钙离子浓度上升，诱发神经营养因子或者神经营养因子样物质的胞吐作用，并通过磁刺激，增加细胞内的神经营养因子群的转录因子(mRNA)，促进神经营养因子群的合成以及向细胞外的释放。
文档编号A61N2/04GK102008782SQ20101054649
公开日2011年4月13日 申请日期2006年11月8日 优先权日2006年11月8日
发明者木下严, 西光晴 申请人:株式会社医疗器械